直擊慕尼黑華南電子展 | 蓉矽半導(dǎo)體圓滿收官！
[ 來源：蓉矽半導(dǎo)體 時(shí)間：2022-11-18 閱讀：2296次 ]
11月17日，為期三天的慕尼黑華南電子展成功收官。蓉矽半導(dǎo)體作為參展商，攜NovuSiC? 1200V碳化硅二極管和NovuSiC? 1200V MOSFET系列產(chǎn)品驚艷亮相，現(xiàn)場(chǎng)演示電機(jī)驅(qū)動(dòng)，吸引了眾多硬科技從業(yè)者和產(chǎn)業(yè)界人士駐足觀看、詢問交流。
本次展會(huì)展出產(chǎn)品在新能源汽車、直流充電樁、光伏系統(tǒng)等高增量市場(chǎng)表現(xiàn)亮眼。
在20kW直流充電模塊中，與硅基器件相比，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數(shù)量50%；降低總損耗50%以上；提升效率約2%，峰值可達(dá)97%以上。
在11kW光伏逆變器應(yīng)用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統(tǒng)總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。
在500W便攜式儲(chǔ)能電源應(yīng)用中，相較FRD，蓉矽半導(dǎo)體理想硅基二極管MCR?器件可降低18.7%的損耗和13℃的器件結(jié)溫；在損耗不變的前提下，可提升50%的開關(guān)頻率，縮小磁性器件體積約30%。
2022年度慕尼黑華南電子展雖已落下帷幕，但蓉矽半導(dǎo)體的前進(jìn)腳步從未停止，感謝所有到場(chǎng)客戶的厚愛與支持，也歡迎新老朋友來電咨詢，我們將竭誠為您提供先進(jìn)解決方案。