ダイオード Si/SiC
蓉矽SiCダイオードには、高コスパ「NovuSiC?」と高信頼性「DuraSiC?」シリーズがあります。
SiC EJBS?（Enhanced Junction Barrier Schottky）：11倍の高アンチサージ電流。
Si理想ダイオードMCR?（MOS-Controlled Rectifier）：175℃の高動(dòng)作溫度性能。
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MOSFET Si/SiC
蓉矽SiC MOSFETには、高コスパ「NovuSiC?」と高信頼性「DuraSiC?」シリーズがあります。
NovuSiC?/DuraSiC?? MOSFETには、超低FOM（Ron*Qgd）を備えます。
Si FR MOS（Fast Recovery MOSFET）には、超低ボディダイオード逆回復(fù)電流があります。
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