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喜訊 | 蓉矽半導(dǎo)體與臺(tái)灣漢磊科技簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議 !
[ 來(lái)源:蓉矽半導(dǎo)體  時(shí)間:2023-02-24  閱讀:3402次 ]

近日,成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司(下稱“蓉矽半導(dǎo)體”)與臺(tái)灣漢磊科技股份有限公司(下稱“漢磊科技”)簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議,進(jìn)一步深化了雙方在碳化硅SiC制造方面的合作關(guān)系。

根據(jù)協(xié)議,漢磊科技將向蓉矽半導(dǎo)體開放 SiC 工藝平臺(tái)并將其代工產(chǎn)品優(yōu)先級(jí)列為第一等級(jí)。這有力加強(qiáng)了蓉矽半導(dǎo)體供應(yīng)鏈保障,促進(jìn)了碳化硅SiC功率半導(dǎo)體器件的快速發(fā)展,從而得以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,為客戶創(chuàng)造更多價(jià)值。

關(guān)于漢磊

漢磊科技于1985年設(shè)立于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū),是全球第一家Linear Bipolar IC專業(yè)代工廠,具備化合物半導(dǎo)體氮化鎵 (GaN) 及碳化硅 (SiC)專業(yè)代工能力,擁有1座 4/5英寸晶圓廠、2座 6英寸晶圓廠。其中4英寸月產(chǎn)能為1000 pcs、5英寸月產(chǎn)能為8000 pcs,6英寸月產(chǎn)能分別為17 000 pcs和33 000 pcs。SBD/平面結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)平臺(tái)良率超過(guò)95%,SiC產(chǎn)品極具競(jìng)爭(zhēng)力。

關(guān)于蓉矽半導(dǎo)體

蓉矽半導(dǎo)體成立于2019年,是四川省首家專注碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè),建立了材料、外延、晶圓制造與封測(cè)等環(huán)節(jié)均符合IATF 16949質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)的完整供應(yīng)鏈,打造了高性價(jià)比的"NovuSiC"和高可靠性的"DuraSiC"產(chǎn)品系列。涵蓋碳化硅二極管EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)與碳化硅MOSFET;硅基FR MOS (Fast Recovery MOS)與175?C最高工作結(jié)溫的硅基二極管MCR(MOS-Controlled Rectifier),應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁、OBC及新能源汽車等領(lǐng)域。

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