3月30日，由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團AspenCore主辦的2023中國IC設(shè)計成就獎頒獎典禮在上海進行。蓉矽半導(dǎo)體自主設(shè)計研發(fā)的1200V/75mΩ碳化硅場效應(yīng)管-NC1M120C75HT榮獲“年度最佳功率器件/寬禁帶器件”獎項！蓉矽半導(dǎo)體將繼續(xù)保持自主創(chuàng)新，專注碳化硅（SiC）功率器件設(shè)計與研發(fā)，推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
中國IC設(shè)計成就獎
2023年是第21年連續(xù)舉辦IC設(shè)計調(diào)查及獎項評選，因其秉持公正、客觀的評選標準，成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)IC設(shè)計領(lǐng)域極具公信力的社會品牌，同時是最具專業(yè)性和影響力的技術(shù)獎項之一，受到業(yè)界的廣泛認可?！爸袊鳬C設(shè)計成就獎”分為IC設(shè)計公司獎項、熱門IC產(chǎn)品獎項、上游服務(wù)供應(yīng)商獎項和分析師推薦獎項四大類，旨在表彰業(yè)內(nèi)優(yōu)秀的中國IC設(shè)計公司、半導(dǎo)體器件和熱門IC產(chǎn)品。蓉矽半導(dǎo)體1200V/75mΩ 碳化硅場效應(yīng)管-NC1M120C75HT獲此殊榮，證明了蓉矽半導(dǎo)體在引領(lǐng)電子設(shè)計創(chuàng)新中做出的杰出貢獻。
碳化硅場效應(yīng)管
1200V/75mΩ碳化硅場效應(yīng)管-NC1M120C75HT
具有全面優(yōu)異的電學(xué)性能、魯棒性、可靠性，在大幅度降低靜態(tài)損耗的同時減小動態(tài)損耗，可以提高系統(tǒng)整體功率密度，降低系統(tǒng)總成本，產(chǎn)品特點如下：
1.低比導(dǎo)通電阻:
Ron,sp@(VGS=20V)=4.6mΩ·cm2
2.短路耐受時間＞3μs
3.低密勒電容：Cgd=5pF
4.柵氧化層長期可靠，電場強度遠小于常規(guī)4.0MV/cm限制
5.閾值電壓（Vth）高達2.8V，抗串?dāng)_能力強
蓉矽半導(dǎo)體
成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司成立于2019年，是四川省首家專注碳化硅功率器件設(shè)計與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，擁有臺灣漢磊科技第一優(yōu)先級產(chǎn)能保障，致力于自主開發(fā)世界一流水平的車規(guī)級碳化硅器件。
蓉矽半導(dǎo)體擁有高性價比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”產(chǎn)品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS?與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR，應(yīng)用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領(lǐng)域。
蓉矽半導(dǎo)體擁有德國萊茵ISO 9001質(zhì)量管理體系認證，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應(yīng)鏈，嚴格按照AEC-Q101標準考核驗證。