最近、成都蓉矽半導(dǎo)體有限會(huì)社（以下「蓉矽半導(dǎo)體」）および臺(tái)灣漢磊科技有限會(huì)社（以下「漢磊科技」）は、長(zhǎng)期戦略的な協(xié)力協(xié)定に署名し、さらにSiC製造の協(xié)力関係を深めます。
協(xié)定により、漢磊科技はSiCプロセスプラットフォームを公開し、蓉矽半導(dǎo)體からのOEM製作依頼を最優(yōu)先に します。 これで、蓉矽半導(dǎo)體サプライチェーンの保障が強(qiáng)化され、SiCパワーデバイスの急速な発展が促進(jìn)され、日増しに生長(zhǎng)する市場(chǎng)ニーズを満たし、お客様により多くの価値を生み出せます。
漢磊科技について
漢磊科技は、1985年に中國臺(tái)灣の新竹科學(xué)園區(qū)に設(shè)立され、世界初のLinear Bipolar ICプロファウンドリで、GaNとSiC のプロファウンドリサービス能力を備え、 4/5インチウェーハ工場(chǎng)一箇所と６インチウェーハ工場(chǎng)二箇所を持ちます。その中に、4インチは1000枚 、5インチは800枚0、6インチはそれぞれ17,000枚と33000枚を毎月生産できます。 SBD/JBSのプラットフォーム良品率は95％を超え、SiC製品は非常に競(jìng)爭(zhēng)力があります。
蓉矽半導(dǎo)體について
2019年に設(shè)立された蓉矽半導(dǎo)體は、四川省初のワイドバンドギャップ半導(dǎo)體SiCパワーデバイスの設(shè)計(jì)と開発に専念しているハイテクノロジー企業(yè)です。IATF 16949品質(zhì)管理システムを基準(zhǔn)に、原材料から、エピタキシー、ウェーハ製造、パッケージング組立まで完全的なサプライチェーンを構(gòu)築し、コスパが高い「NovuSiC」シリーズと高信頼性の「DuraSiC」シリーズ製品を提供しています。 SiCダイオードEJBS?（Enhanced Junction Barrier Schottky Diode）、SiC MOSFET、Si FR MOS（Fast Recovery MOS）および最大動(dòng)作溫度175℃のSi ダイオードMCR(MOS-Controlled Rectifier)などの製品を製作し、太陽光発電、エネルギーストレージ、EV充電器、OBCおよび新エネルギー車などの分野で大幅に応用されます。